Оперативная память Corsair CMSO4GX3M2A1333C9

Доставка Цена В магазин

Характеристики

  • объем модуля 2 Гб
  • форм-фактор SODIMM, 204-контактный
  • 2 модуля памяти DDR3
  • частота 1333 МГц
  • CAS Latency (CL): 9

    Дополнительно

    Напряжение питания:
    1.5 В

    Общие характеристики

    Объем:
    2 модуля по 2 Гб
    Тип памяти:
    DDR3
    Форм-фактор:
    SODIMM 204-контактный
    Тактовая частота:
    1333 МГц
    Пропускная способность:
    10600 Мб/с
    Поддержка ECC:
    нет
    Буферизованная (Registered):
    нет
    Низкопрофильная (Low Profile):
    нет

    Тайминги

    CAS Latency (CL):
    9
    RAS to CAS Delay (tRCD):
    9
    Row Precharge Delay (tRP):
    9
    Activate to Precharge Delay (tRAS):
    24